Унікальний прорив: Китайські учені створили рідкометалеву оперативну пам’ять FlexRAM

Учені з Університету Цінхуа в Китаї оголосили про створення першої у світі рідкометалевої оперативної пам’яті, яку вони назвали FlexRAM. Цей технологічний прорив може суттєво покращити електронні пристрої, враховуючи важливу роль оперативної пам’яті у їхньому функціонуванні. Дослідження було опубліковане в науковому журналі Advanced Materials.

FlexRAM використовує краплі рідкого галію для зберігання бінарних значень 1 та 0, розміщуючи їх всередині біополімеру Ecoflex, який володіє властивостями розтягування. Це інноваційне рішення відкриває нові можливості для електроніки та комп’ютерної техніки, де попит на ефективну та надійну оперативну пам’ять постійно зростає.

Поточна версія FlexRAM складається з восьми блоків зберігання, які оперують одним байтом даних і мають обмежену кількість циклів. Цей прорив визнається як значний крок вперед. Вдалося продемонструвати можливість утримувати дані до 12 годин у вимкненому режимі, вказуючи на потенційність FlexRAM як перспективного засобу для гнучкого сховища.

Важливо зазначити, що не дивлячись на обмежені можливості поточної версії, FlexRAM має обіцянки для майбутніх застосувань. Один з авторів проєкту підкреслив, що ця технологія може лягти в основу розвитку м’яких роботів та систем мозок-комп’ютер.

Практичне використання рідкометалевої пам’яті залишається на етапі досліджень. Проте вчені відзначають, що цей прорив в області технології RAM робить майбутнє більш перспективним.