TSMC підвищила прогноз ринку чипів до $1,5 трлн до 2030 року
- TSMC підвищила прогноз світового ринку напівпровідників з $1 трлн до $1,5 трлн до 2030 року.
- 55% ринку формуватиме ШІ та високопродуктивні обчислення, 20% — смартфони, 10% — авто.
- Попит на пластини для ШІ-прискорювачів зросте в 11 разів з 2022 по 2026 рік.
- TSMC розширює виробництво в США, Японії та Німеччині.
TSMC підвищила прогноз обсягу світового ринку напівпровідників до 1,5 трильйона доларів до 2030 року — порівняно з попереднім прогнозом у 1 трильйон доларів. Дані оприлюднені в матеріалах компанії напередодні технологічного симпозіуму, повідомляє Reuters.
За оцінкою TSMC, 55% ринку формуватиме штучний інтелект і високопродуктивні обчислення, 20% — смартфони, 10% — автомобільний сектор.
Попит на пластини для ШІ-прискорювачів, за прогнозом компанії, зросте в 11 разів з 2022 по 2026 рік. Потужності для виробництва 2-нанометрових чипів і чипів наступного покоління A16 планують нарощувати із середньорічним темпом зростання 70% у 2026–2028 роках. Середньорічний темп зростання потужностей для технології пакування CoWoS — яка застосовується зокрема в ШІ-чипах Nvidia — прогнозується на рівні понад 80% з 2022 по 2027 рік.
У 2025–2026 роках TSMC прискорює розширення виробничих потужностей і планує побудувати дев’ять черг нових підприємств у 2026 році.
Щодо географічної присутності компанії: у США (Арізона) перший завод вже працює, перенесення обладнання на другий заплановано на другу половину 2026 року, третій будується, а четвертий та перший завод з передового пакування мають розпочати будівництво цього року. TSMC також придбала другу велику ділянку землі в Арізоні для майбутнього розширення та прогнозує зростання обсягу виробництва в Арізоні у 1,8 раза порівняно з попереднім роком у 2026 році.
В Японії перший завод уже здійснює серійне виробництво за технологіями 22 нм і 28 нм; плани щодо другого заводу переглянуто на користь 3-нанометрового техпроцесу. У Німеччині завод перебуває на стадії будівництва та планує виробляти чипи за технологіями 28, 22, 16 і 12 нм.
